14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
NOTES
相关PDF资料
MRF5S9150HSR5 MOSFET RF N-CHAN 28V 33W NI-780S
MRF6P18190HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230
MRF6P21190HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230
MRF6P23190HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 40W NI-1230
MRF6P24190HR5 MOSFET RF N-CH 28V 190W NI-1230
MRF6P27160HR6 MOSFET RF N-CHAN 28V 35W NI-1230
MRF6P3300HR5 MOSFET RF N-CH 32V 300W NI-860C3
MRF6P9220HR5 MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3
相关代理商/技术参数
MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
MRF5S9101NBR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S9101NR1 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S9150HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S9150HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5S9150HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S9150HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF5S9150HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray